THE GaN BUFFER LAYER THICKNESS INFLUENCE ON CRYSTAL STRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF GaN THIN FILMS GROWN BY PULSED LASER DEPOSITION (PLD) METHOD
| Main Authors: | Adnyana, I. G.A.P.; Departemen Fisika, FMIPA-Universitas Udayana Kampus Bukit Jimbaran, Buleleng, Denpasar, Bali, Suarbawa, Komang Ngurah; Departemen Fisika, FMIPA-Universitas Udayana Kampus Bukit Jimbaran, Buleleng, Denpasar, Bali, Sukarasa, I. Ketut; Departemen Fisika, FMIPA-Universitas Udayana Kampus Bukit Jimbaran, Buleleng, Denpasar, Bali |
|---|---|
| Other Authors: | UNUD - Universitas Udayana |
| Format: | Article application/pdf eJournal |
| Bahasa: | ind |
| Terbitan: |
BATAN
, 2013
|
| Online Access: |
http://jurnal.batan.go.id/index.php/jsmi/article/view/1085 |
Internet
http://jurnal.batan.go.id/index.php/jsmi/article/view/1085Lokasi
| Koleksi | Eksplorium Buletin Pusat Pengembangan Geologi Nuklir |
|---|---|
| Gedung | Perpustakaan Badan Tenaga Nuklir Nasional |
| Institusi | Badan Tenaga Nuklir Nasional |
| Kota | JAKARTA SELATAN |
| Provinsi | DKI JAKARTA |
| Kontak | Butuh informasi lebih lanjut? Hubungi pustakawan institusi ini. |